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以不同掺杂浓度的单晶n型硅为衬底、金属银为催化剂、硝酸铁作为氧化剂制备硅纳米线,系统研究了光照对不同硝酸铁浓度条件下用化学腐蚀法制备硅纳米线的作用.研究发现,不同掺杂浓度的硅衬底,光照对硅纳米线长度的影响明显不同.通过对比硅纳米线的长度,发现光照对硅纳米线的形成兼具促进和溶解作用,并分别从能带结构、电化学表征和光致发光等方面对这两种作用的形成机理进行了深入讨论.