【摘 要】
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测量了不同温度下Ni52Mn24.5Ga23.5单晶的磁感生应变。温度在280 K（略低于马氏体相变完成温度）时,测量得到的磁感生应变量高达-1.2%;随着温度的降低,磁感生应变量会迅速减小;在
【机 构】
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重庆师范大学物理与信息技术学院,重庆仪表材料研究所
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测量了不同温度下Ni52Mn24.5Ga23.5单晶的磁感生应变。温度在280 K（略低于马氏体相变完成温度）时,测量得到的磁感生应变量高达-1.2%;随着温度的降低,磁感生应变量会迅速减小;在250 K的温度下,磁感生应变量仅为-0.37%,结果说明：铁磁形状记忆合金NiMn-Ga材料的磁感生应变具有明显的温度依赖性。此外,根据热力学理论,计算了在不同温度下,1个循环（升、降磁场）磁感生应变过程中孪晶界移动的能量损耗,结果表明：同种样品、不同温度下的磁感生应变量可定性地反映一个循环过程中孪晶界移动的能量
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