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离子束溅射Si/Ge多层膜的界面结构研究
离子束溅射Si/Ge多层膜的界面结构研究
来源 :第六届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sdhanxiaoxing
【摘 要】
:
采用离子束溅射技术,在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si/Ge多层膜样品.通过Raman光谱和X射线小角衍射对薄膜进行了表征和分析,发现随着生长周期数的增加,层与层之间的互扩散效应逐渐减弱,界面结构逐渐清晰,生长周期为25的样品界面最平整.
【作 者】
:
陈寒娴
杨瑞东
邓荣斌
秦芳
王茺
杨宇
【机 构】
:
云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091 昆明理工大学,材料科学与冶金工程学院,云南,
【出 处】
:
第六届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
:
2007年4期
【关键词】
:
超晶格材料
Si/Ge多层膜
界面结构
离子束溅射
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采用离子束溅射技术,在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si/Ge多层膜样品.通过Raman光谱和X射线小角衍射对薄膜进行了表征和分析,发现随着生长周期数的增加,层与层之间的互扩散效应逐渐减弱,界面结构逐渐清晰,生长周期为25的样品界面最平整.
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