【摘 要】
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利用直流对靶磁控溅射技术在单晶Si衬底上制备了C/CocrTa/(X=Cr,Ti)介质材料.分别采用振动样品磁强计、X射线衍射仪、扫描探针显微镜对样品的磁性、微结构等进行了测试分析.
【机 构】
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河北师范大学物理科学与信息工程学院,石家庄,050016
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利用直流对靶磁控溅射技术在单晶Si衬底上制备了C/CocrTa/(X=Cr,Ti)介质材料.分别采用振动样品磁强计、X射线衍射仪、扫描探针显微镜对样品的磁性、微结构等进行了测试分析.研究发现,Ti缓冲层有利于样品中Co晶粒的易轴垂直于膜面生长.以Ti为缓冲层的样品,颗粒尺寸和表面粗糙度较小,而且磁畴明显,说明以Ti为缓冲层的薄膜样品更适宜做垂直磁记录.
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