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摘要：为了能够有效地提高电子的注入和传输能力，改善有机电致发光器件的性能，本文利用CsN3作为n型掺杂剂，对有机电子传输材料Bphen进行n型电学掺杂，制备了结构为ITO／MoO3（2nm）／NPB（50nm）／Alq3（30nm）／Bphen（15nm）／Bphen：CsN3（15nm，x％，x=10，15，20）／Al（100nm）的器件。实验结果表明，CsN3是一种有效的n型掺杂剂，以掺杂层Bphen：CsN3作为电子传输层，可以有效地降低电子的注入势垒，改善器件的电子注入和传输能力，从而降低器件的