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采用对a-AlGaN表面沉积SiO2纳米颗粒制备工艺得到了金属-半导体-金属（MSM）结构的a-AlGaN紫外探测器。与没有沉积SiO2纳米颗粒的探测器件相比,沉积SiO2纳米颗粒使器件的暗电流下降了一个数量级,峰值光谱响应度提高了近3个数量级,紫外/可见抑制比大于10^3。
SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响
【摘 要】
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采用对a-AlGaN表面沉积SiO2纳米颗粒制备工艺得到了金属-半导体-金属（MSM）结构的a-AlGaN紫外探测器。与没有沉积SiO2纳米颗粒的探测器件相比,沉积SiO2纳米颗粒使器件的暗电流下
【机 构】
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发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院研究生院
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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2012年8期
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