【摘 要】
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对PIN型光电探测器的结构进行了细致的分析,在器件等效电路的基础上分别划分出各个层的等效电容(包括势垒电容和扩散电容),并根据此结构利用仿真软件进行建模仿真工作得出初
【机 构】
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天津工业大学电气工程与自动化学院,天津工业大学电子与信息工程学院,天津三安光电有限公司
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对PIN型光电探测器的结构进行了细致的分析,在器件等效电路的基础上分别划分出各个层的等效电容(包括势垒电容和扩散电容),并根据此结构利用仿真软件进行建模仿真工作得出初步结果,据此进一步分析出由于生长材料时温度过高所带来的本征层的Zn扩散现象引起了层内各个电容的变化,进而影响器件的高频特性,通过改进优化抑制了本征层的Zn扩散现象,得到了高质量的晶体材料,成功量产出InGaAs/InP PIN光电探测器,并测得器件的感光区直径为60μm,反向偏压为?20 V时,暗电流小于1.3 nA,电容约为1.6 pF,在
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