【摘 要】
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用传统固相烧结法获得了含A位空位的(KBi)0.5-x(LiCe)x/2x/2Bi2Nb2O9(其中为A位[KBi]空位)系列铋层陶瓷,研究了A位LiCe掺杂替代对K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷性能的影响.LiCe
【基金项目】
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高等学校博士学科点专项科研项目;国家自然科学基金
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用传统固相烧结法获得了含A位空位的(KBi)0.5-x(LiCe)x/2x/2Bi2Nb2O9(其中为A位[KBi]空位)系列铋层陶瓷,研究了A位LiCe掺杂替代对K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷性能的影响.LiCe 掺杂改性明显提高了K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷的压电活性,(KBi)0.44(LiCe)0.030.03Bi2Nb2O9陶瓷的压电系数d33、平面机电耦合系数kp和厚度振动机电耦合系数kt分别为31 pC/N、5% 和22%.
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