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在SMF-800 石墨第一壁化学腐蚀温度特性的实验研究基础上,进一步测试了G3 石墨、SMF-800 高纯石墨和硼化石墨,以及SiC涂层等在1.3μA/3keV 氘离子束轰击下化学腐蚀的温度特性。从中优选出C2B10H12 氦辉光放电法制取的SMF-800 石墨硼化层,它具有最佳的抗化学腐蚀性能。其CD4 产额较SMF-800 高纯石墨的降低一个数量级以上,CD4 产额峰值温度下移至650K附近。用小角度转动样品法,初步观察了氘离子束轰击下石墨释放CD4 的角分布特性,为托卡马克先进偏滤器实验中确立CD4