【摘 要】
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针对直流断路器用压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片电流分布的问题,基于内快恢复二极管(FRD)外IGBT的对称布局方式建立3.3kV/3kA压接型IGBT模块的等效电磁场模型,首先通过
【机 构】
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高电压与电磁兼容北京市重点实验室,新能源电力系统国家重点实验室（华北电力大学）
【基金项目】
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国家重点研发计划课题(2016YFB0901804).
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针对直流断路器用压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片电流分布的问题,基于内快恢复二极管(FRD)外IGBT的对称布局方式建立3.3kV/3kA压接型IGBT模块的等效电磁场模型,首先通过仿真1kHz和1MHz频率下芯片和铜台的电流密度,分析了IGBT器件内部的集肤效应现象和涡流分布情况,对比了芯片和铜台的电流密度分布,提出了集肤效应下芯片、铜台内部和芯片、铜台之间电流分布规律,并且指出芯片上的电流与铜台上的电流密度模分布差异巨大;其次,在施加直流断路器典型电流波形条件下,仿真得出了IGBT各芯片之间和
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