N离子注入方法对Ta扩散阻挡层性能的改进

来源 :中国集成电路 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kekexiaozi
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本文简单介绍了铜互连扩散阻挡层的种类、特点和发展,将离子注入方法与溅射方法相结合,改进了扩散阻挡层的制备工艺。溅射生长的100nm厚的Ta阻挡层在经过能量为40keV的N离子注入之后,其阻挡层性能有了显著的提高,在700℃的高温退火1小时的条件下,仍能阻挡铜的热扩散;而未经注入的Ta层则在600℃退火后,其阴档层性能就已失效。
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