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文章针对铜丝键合工艺在高密度及大电流集成电路封装应用中出现的一系列可靠性问题，对该领域目前相关的理论和研完成果进行了综述，介绍了铜丝球键合工艺、键合点组织结构及力学性能、IMC生长情况、可靠性机理及失效模式。针对铜丝球键合工艺中易氧化、硬度高等难点，对特定工艺进行了阐述，同时也从金属间化合物形成机理的角度重点阐述了铜丝球键合点可靠性优于金丝球键合点的原因。并对铜丝球键合及铜丝楔键合工艺前景进行了展望。