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本设计基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计了一款X波段Butler矩阵芯片.芯片由90°耦合器、移相器、交叉耦合器组成.详细分析了芯片中个单元电路设计及可能存在的问题.测试结果表明,在9.5-10.5 GHz的设计频段内,可同时输出4个波束,插入损耗小于2.5dB.
一种基于SiGe BiCMOS工艺的X波段4×4片上Butler矩阵设计
【摘 要】
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本设计基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计了一款X波段Butler矩阵芯片.芯片由90°耦合器、移相器、交叉耦合器组成.详细分析了芯片中个单元电路设计及可能存在的问题.测试结果
【机 构】
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中国电子科技集团公司第三十八研究所,安徽合肥230088孔径阵列与空间探测安徽省重点实验室,安徽合肥230088;
【出 处】
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电脑知识与技术
【发表日期】
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2020年21期
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学位
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