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退火处理对SnO2:Sb薄膜结构和光致发光性质的影响
退火处理对SnO2:Sb薄膜结构和光致发光性质的影响
来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fangfang_936
【摘 要】
:
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜,研究了不同掺杂和退火对薄膜结构的影响.制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为(110).室温
【作 者】
:
王玉恒
马瑾
计峰
余旭浒
马洪磊
【机 构】
:
山东大学
【出 处】
:
稀有金属材料与工程
【发表日期】
:
2005年11期
【关键词】
:
射频磁控溅射法
SnO2:Sb薄膜
光致发光
SnO2:Sb thin films
rfmagnetron sputtering method
photol
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用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜,研究了不同掺杂和退火对薄膜结构的影响.制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为(110).室温下光致发光测量首次观测到392 nm附近存在紫外-紫光发射,并对SnO2:Sb的光致发光机制进行了探索性研究.
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