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7OOV外延LDMOS模型的建立与参数提取
7OOV外延LDMOS模型的建立与参数提取
来源 :微计算机信息 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zjlyqgf888
【摘 要】
:
本文借助二维数值模拟软件MEDICI对700V外延型LDMOS特性进行分析,对其电流饱和机理做了研究,在此基础上采用宏模型的建模方法,给出LDMOS的等效电路模型.并用参数提取软件Auro
【作 者】
:
王邦麟
程东方
徐志平
关彦青
【机 构】
:
200072,上海大学微电子中心,微电子与固体电子学
【出 处】
:
微计算机信息
【发表日期】
:
2004年期
【关键词】
:
LDMOS
饱和栅压
等效电路模型
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本文借助二维数值模拟软件MEDICI对700V外延型LDMOS特性进行分析,对其电流饱和机理做了研究,在此基础上采用宏模型的建模方法,给出LDMOS的等效电路模型.并用参数提取软件Aurora,提取了相应得参数.在Cadence下仿真取得了较好的效果.
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