研究聚乙烯吡咯烷酮(PVP)修饰的碳化钽(Ta₄C₃)纳米片对人三阴性乳腺癌MDA-MB-231细胞放射敏感性的影响。

合成并表征Ta₄C₃-PVP纳米片。利用荧光显微镜观察MDA-MB-231细胞对异硫氰酸荧光素(FITC)标记Ta₄C₃-PVP纳米片的摄取情况。CCK-8法检测不同浓度的Ta₄C₃-PVP纳米片对MDA-MB-231细胞的毒性。将MDA-MB-231细胞分为空白对照组、Ta₄C₃-PVP组、单纯照射组和Ta₄C₃-PVP＋照射组，克隆形成试验检测细胞放射敏感性的改变，酶标仪检测细胞内活性氧(ROS)水平和脂质氧化产物丙二醛(MDA)含量，免疫荧光法检测DNA双链断裂(DSBs)分子标志物γH2AX焦点形成及有丝分裂灾难形成。

成功合成Ta₄C₃-PVP纳米片，呈薄片形貌，水动力直径和厚度分别约为143.93和1.35 nm。FITC标记的Ta₄C₃-PVP被MDA-MB-231细胞摄取后主要分布于细胞质中。Ta₄C₃-PVP纳米片在浓度高达400 μg/ml时，对MDA-MB-231细胞无明显毒性。克隆形成试验结果显示，50和100 μg/ml Ta₄C₃-PVP预处理使受照MDA-MB-231细胞的存活曲线分别较单纯照射组下移，且呈浓度依赖性，低、高浓度Ta₄C₃-PVP预处理的放射增敏比(SER_D0)分别为1.21和1.45。Ta₄C₃-PVP＋照射组于照射后2和12 h细胞内ROS水平均明显高于单纯照射组(q＝20.01、7.193，P< 0.05)，于照射后1、4和8 h Ta₄C₃-PVP＋照射组含≥5个γH2AX焦点的阳性细胞率均明显高于单纯照射组(q＝36.78、14.87、8.217，P< 0.05)，Ta₄C₃-PVP＋照射组于照射后24和48 h的MDA含量均明显高于单纯照射组(q＝14.02、7.015，P< 0.05)，Ta₄C₃-PVP＋照射组于照射后72 h的有丝分裂灾难比例明显高于单纯照射组(q＝16.33，P< 0.05)。

Ta₄C₃-PVP纳米片通过提高辐射诱导的ROS水平增强人三阴性乳腺癌MDA-MB-231细胞的放射敏感性。