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本工作测量了反应堆脉冲中子、γ辐照SiGeHBT典型直流电参数和退火因子。在反应堆1×10^13cm^-2的脉冲中子注量和257Gy（Si）γ总剂量辐照后,SiGeHBT静态共射极直流增益减小了20%。辐照后基极电流、结漏电流增大,集电极电流、击穿电压减小。初步分析了SiGeHBT瞬态中子、γ辐射损伤机理。