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为深入研究半导体表面过程,主要针对Zerbst方程,用数值拟合法,给出脉冲电压作用下MOS器件半导体表面耗尽层宽度随时间变化近似解析解, 进而得出与实验结果符合较好的表面少子时变关系解析式;分析了表面少子时变过程,为表面电荷转移器件的模拟分析提供了有力的工具.
MOS表面反型层少子时变效应研究
【摘 要】
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为深入研究半导体表面过程,主要针对Zerbst方程,用数值拟合法,给出脉冲电压作用下MOS器件半导体表面耗尽层宽度随时间变化近似解析解, 进而得出与实验结果符合较好的表面少子
【机 构】
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大连理工大学,物理系,辽宁,大连,116024北京大学,微电子研究所,北京,10,0871;
【出 处】
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大连理工大学学报
【发表日期】
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2000年6期
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