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根据电路模拟软件ＰＳＰＩＣＥ内建元器件模型，建立了功率ＭＯＳ器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和模型参数提取方法，对ＶＤＭＯＳ器件的单粒子栅穿效应机理进行了电路模拟和分析，模型结果与文献中的实验数据相符合，表明所建立的等效电路模拟方法是可靠的。
功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模拟方法
【摘 要】
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根据电路模拟软件ＰＳＰＩＣＥ内建元器件模型，建立了功率ＭＯＳ器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和模型参数提取方法，对ＶＤＭＯＳ器件的单粒子栅穿效应机理进行了电路模拟和分析，模型结果与文献中的实验数
【机 构】
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西北核技术研究所
【出 处】
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计算物理
【发表日期】
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2000年1期
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