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常规的低成本，超宽范围的红外偏振仪存在不足之处，在复盖整个中红外和远红外光谱区上，只能提供线格栅器件，要覆盖整个光谱范围，需要用几何高成本的偏振仪，性能有限，现已证明，用半导体等级的硅（电阻率超过１０Ω．ｃｍ，最好是悬浮区法，ｎ型硅）能够构造合合于傅里叶变换红外光谱仪用的“玻片堆”的偏振仪，它们可以应用于１．２μｍ至２５０μｍ。“光学等级”的硅不适合可靠地用远红外区，这种偏振仪可用于部分激光器（Ｈ