【摘 要】
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先进光电材料的开发对于电子元件与材料相关产业的升级具有重要意义.通过磁控溅射法合成了由Mg-Al-Ga:ZnO层和金属Cu层组成的“三明治”式复合结构的薄膜材料.对合成的光电材料进行了系统表征,结果表明该薄膜材料具有晶粒分布均匀、表面结构平整致密等特点.同时研究了金属Cu层厚度对复合薄膜性能的影响,并对其光学透过率以及电学性能进行了讨论.结果表明Cu层临界厚度约为11 nm,其对应的电阻率和在可见光范围内的平均透过率分别可以达到1.4×10-4Ω·cm和86％.说明Mg-Al-Ga:ZnO层复合材料具有较
【机 构】
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湖北第二师范学院 物理与机电工程学院, 湖北 武汉 430205;湖北第二师范学院 材料科学研究院,湖北 武汉 430205;湖北第二师范学院 材料科学研究院,湖北 武汉 430205
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先进光电材料的开发对于电子元件与材料相关产业的升级具有重要意义.通过磁控溅射法合成了由Mg-Al-Ga:ZnO层和金属Cu层组成的“三明治”式复合结构的薄膜材料.对合成的光电材料进行了系统表征,结果表明该薄膜材料具有晶粒分布均匀、表面结构平整致密等特点.同时研究了金属Cu层厚度对复合薄膜性能的影响,并对其光学透过率以及电学性能进行了讨论.结果表明Cu层临界厚度约为11 nm,其对应的电阻率和在可见光范围内的平均透过率分别可以达到1.4×10-4Ω·cm和86％.说明Mg-Al-Ga:ZnO层复合材料具有较好的光电性能,该材料的制备对于新型先进光电材料的设计与优化具有一定的借鉴意义.
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