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随掺Gd量的增加,La-Gd-Ca-Mn O化合物的金属绝缘体相变温度逐渐下降,对应的峰值电阻率大幅度增加,磁电阻比明显提高,掺入11%的Gd可以使材料的磁电阻比提高一个数量级Gd的掺入还引起材料磁电阻出现明显的不可逆效应,随掺Gd量增加,不可逆效应明显增大。
La—Gd—Ca—Mn—O的不可逆磁电阻效应
【摘 要】
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随掺Gd量的增加,La-Gd-Ca-Mn O化合物的金属绝缘体相变温度逐渐下降,对应的峰值电阻率大幅度增加,磁电阻比明显提高,掺入11%的Gd可以使材料的磁电阻比提高一个数量级Gd的掺入
【机 构】
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山东大学物理系,山东大学物理系,山东大学实验中心
【出 处】
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材料研究学报
【发表日期】
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2001年5期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划)，科技部资助项目
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