Cd1—xZnxTe多晶薄膜的制备、性能与光伏应用

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:guofy
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
用共蒸发法制备了Cd1-xZnxTe多晶薄膜,薄膜结构属立方晶系空间群F43m^-,通过透射谱的测量,计算光能隙,得到室温时薄膜的光能隙随组分x值的变化满足二次方关系,作为对异质结界面的修饰,提出了有Cd1-x-ZnxTe过渡层的CdS/CdTe/Cd1-xZnxTe/ZnTe:Cu电池,并在相同工艺下制备了Cds/CdTs/CdTe/Cd0.4Zn0.6Te/ZnTe:Cu与Cds/CdTe/ZnTe:CU与CdS/CdTe/ZnTe:CU太阳电池,发现前者比后者效率平均增加了35 .0%。
其他文献
蓝萼香茶菜[Rabdosia japonica(Burm@f@)HaraVar.glaucocalyx(maxin)Hara]是唇形科香茶菜属植物,具有健胃、清热解毒、活血、抗菌消炎和抗癌活性,从上世纪80年代至今各国学者
在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上,研究和分析了分立器件的制作工艺,给出了分立器件的制作工艺参数.利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件,并在室
研究了4H—SiC MESFET器件的电学击穿特性和热学稳定性.建立了金属半导体场效应晶体管器件二维数值模型,分析了雪崩碰撞离化效应、隧穿效应和热效应在器件击穿中的作用.综合考虑
对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅(ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧(top oxide)和底氧(bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的
突发性耳聋也是一种中医临床门诊较常见的耳疾,此病宜早治。笔者在1990年至1995年间治疗本病29例,效果满意。现介绍如下。1一般资料29例中单耳患病27例,双耳患病仅2例;女性16例,男性13例;年龄最小16岁,最大
在MEMS领域,微梁广泛应用于各种器件及材料参数的提取中,但是由表面微加工工艺制成的单层台阶型锚,往往不能使微梁满足理想固支的边界条件,从而给器件设计和材料参数的提取带来较
从沟槽绝缘栅双极晶体管(TIGBT)的物理结构出发,提出了TIGBT的稳态模型和瞬态模型.该模型不仅考虑了槽底电子积累层引起的基区电导调制作用增强效应,而且还考虑到缓冲层对器件性
为治疗慢性肾功能衰竭(CRF)患者的皮肤瘙痒症,提高生活质量,笔者用自拟的止痒汤外洗治疗.现将结果报告如下:1病例选择:本组共60例,均为1997年~2001年本科诊治的CRF患者.随机分
结合DVS和ABB技术,同时调整工作电压Vdd和衬底偏置电压Vbs的方法能有效降低深亚微米功耗.在解析方法的基础上提出了已知频率下功耗优化的Vdd,Vbs简化模型.模型中任意频率下对应的
用Authorware 5.0开发了化工原理优化设计多媒体CAI课件.课件集声音、图像、动画于一体,具有较强的交互功能.其中声音文件用Cool Edit 2000软件录制,不但录音长度可以无限长,