论文部分内容阅读
用共蒸发法制备了Cd1-xZnxTe多晶薄膜,薄膜结构属立方晶系空间群F43m^-,通过透射谱的测量,计算光能隙,得到室温时薄膜的光能隙随组分x值的变化满足二次方关系,作为对异质结界面的修饰,提出了有Cd1-x-ZnxTe过渡层的CdS/CdTe/Cd1-xZnxTe/ZnTe:Cu电池,并在相同工艺下制备了Cds/CdTs/CdTe/Cd0.4Zn0.6Te/ZnTe:Cu与Cds/CdTe/ZnTe:CU与CdS/CdTe/ZnTe:CU太阳电池,发现前者比后者效率平均增加了35 .0%。