【摘 要】
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一种性能优异的全单片宽带低噪声反馈放大器已研制成功.此两级放大器的特点是,性能稳定,频带宽,噪声低,增益高而平坦,可直接由+5 V单电源供电,无需外加偏置电路,输入输出由MI
【机 构】
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东南大学微电子中心,南京电子器件研究所,东南大学微电子中心
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一种性能优异的全单片宽带低噪声反馈放大器已研制成功.此两级放大器的特点是,性能稳定,频带宽,噪声低,增益高而平坦,可直接由+5 V单电源供电,无需外加偏置电路,输入输出由MIM电容隔直,使用方便.它由栅长为0.5 μm GaAs工艺制作而成,所有电路元器件皆集成在3.0 mm×2.0 mm的GaAs衬底上.经测量,在频率1～7 GHz的范围内,放大器增益大于20 dB,带内增益波动小于±0.75 dB,噪声系数NF＜2.5 dB,输入输出驻波VSWR约2.0,1分贝压缩点输出功率大于1
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