论文部分内容阅读
利用第一性原理计算方法研究了金红石型TiO2中四种缺陷的电子态.这四种缺陷包括氧空位(Ov)、钛空位(Tiv)、钛间隙(Tis)以及氧空位Ov与钛间隙态Tis共存态.氧空位的存在导致禁带内施主缺陷能级较浅,而深施主能级与Ti间隙态有关.预测了氧空位更倾向于与钛间隙结合,主要通过钦间隙态的3d电子部分转移到近邻近氧空位的部分形成Ov-Tis对缺陷.具有Ov、Tis或Ov-Tis缺陷的体系都出现间隙态,促进体系出现红外吸收.