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探究SiC BJT基极驱动电路拓扑，对SiC BJT基极驱动电路损耗的构成进行了分析和对比，提出单基极电阻和阻容网络两种单电源基极驱动方案，对开关速度进行了对比。针对单电源阻容网络驱动方案，对其关键电路参数进行了分析，并针对一款SiC BJT器件给出了优化的参数组合设计结果，实验测试得出驱动1200 V/6 A SiC BJT驱动损耗为3.85 W，该驱动电路优势明显，并具有进一步优化的空间。