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硫化镉（Cd S）是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。以硫化镉（Cd S）晶片作为籽晶,采用有籽晶的物理气相传输（PVT）法生长出大尺寸Cd S单晶,并对其电学、光学等性能进行了表征。结果表明,PVT法是一种理想的大尺寸Cd S单晶生长方法。
PVT法生长大尺寸CdS单晶
【摘 要】
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硫化镉（Cd S）是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。以硫化镉（Cd S）晶片作为籽晶,采用有籽晶的物理气相传输（PVT）法生长出大尺寸Cd S单晶,并对其电学、光学等性能进行了表
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
【出 处】
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河南科技
【发表日期】
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2015年4期
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