【摘 要】
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本文提出了一种 GaAsMFSFET 源-漏烧毁的机理。由于局部过高的晶格温度,在缓冲层和衬底层中热激活的载流子引起了器件的失效。研究了器件的几何结构和温度对烧毁功率的影响。
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本文提出了一种 GaAsMFSFET 源-漏烧毁的机理。由于局部过高的晶格温度,在缓冲层和衬底层中热激活的载流子引起了器件的失效。研究了器件的几何结构和温度对烧毁功率的影响。
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