一种高线性低噪声CMOS混频器设计

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混频器应用在多标准领域中,对混频器的线性度和噪声性能提出了严格的要求。文中提出了一种新型的高线性、低噪声CMOS混频器。该混频器同时采用了三阶失真抵消技术和噪声抵消技术。采用TSMC 0.13μm CMOS工艺进行设计并流片实现,测试结果表明,较之传统的吉尔伯特混频器而言,文中混频器的输入三阶交调点IIP3增加了6.18d Bm,噪声系数下降了3.5d B,而用于三阶失真抵消技术和噪声抵消技术的电路部分仅使混频器多消耗了0.85m A的电流。
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