【摘 要】
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利用2.5MeV的质子束激发单质金属元素靶或化合物靶产生的K线或L线特征x射线作为x光源,用Si(Li)谱仪系统测得了3.3KeV—27.8keV能区Cu的x射线质量衰减系数,对于较强而孤立的特
【机 构】
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北京辐射中心北师大低核所,北京辐射中心北师大低核所
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利用2.5MeV的质子束激发单质金属元素靶或化合物靶产生的K线或L线特征x射线作为x光源,用Si(Li)谱仪系统测得了3.3KeV—27.8keV能区Cu的x射线质量衰减系数,对于较强而孤立的特征x射线峰,衰减系数的实验误差≤1％。在本能区里,由于瑞利散射和康普顿散射的截面很小,因此,由总衰减截面扣除散射截面便得到了光电截面的实验值,与一些早期的实验结果及理论值进行了比较,并作了讨论。
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