【摘 要】
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通过对样品的伏安性质、介电常数以及晶界势垒的测量和分析,研究了WO3对TiO2压敏电阻瓷电性能的影响.研究发现掺入x (WO3)为0.25%的样品表现出最好的压敏性质,其压敏电压为42
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通过对样品的伏安性质、介电常数以及晶界势垒的测量和分析,研究了WO3对TiO2压敏电阻瓷电性能的影响.研究发现掺入x (WO3)为0.25%的样品表现出最好的压敏性质,其压敏电压为42.5 V/mm,非线性系数a达到9.6,以及较高的相对介电常数(er = 7.41×104),是一种具有较好潜力的电容-压敏电阻器.通过不同烧结温度的实验,发现1 350℃是最佳烧结温度.类比ZnO压敏材料的晶界势垒模型,提出了适合TiO2压敏材料的肖特基势垒模型.
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