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随着器件尺寸朝亚微米规模、超大规模方向发展,常规的湿法腐蚀技术已无法满足要求。这里的器件制作全部采用正性光致抗蚀剂、接触式曝光和反应离子刻蚀制作方法。容易重复获得约0.6μm的发射区条宽,4μm周期的发射极排列密度,条宽和条距均为1μm的梳状金属电极图形,而且该金属具有足够的W、Au厚度,保证器件在C、X波段有良好的高频特性及抗电冲击能力。