【摘 要】
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讨论了纳米线MOSFET量子电容测量及影响因素，同时讨论了计算方法，得出量子电容为1．2aF。观察到室温单电子遂穿现象，是一个单电子晶体管。提出了一种新的模型，解释室温出现大电流单
【机 构】
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湖北工业大学电气与电子工程学院通信工程系
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讨论了纳米线MOSFET量子电容测量及影响因素，同时讨论了计算方法，得出量子电容为1．2aF。观察到室温单电子遂穿现象，是一个单电子晶体管。提出了一种新的模型，解释室温出现大电流单电子库仑阻塞效应，认为是类似于库柏对电子对纳米线岛“似单电荷”的库仑阻塞效应起作用，亦即进入岛的非单子而是电子对，出岛的也如此。这样就解释了大电流量子台阶出现的现象。
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