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有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）有望成为下一代平板显示技术。AMOLED阳极材料的选择和制备工艺的选择会很大程度上影响器件的特性,但相关规律目前仍然不明朗。本文对以ITO为基础的阳极导电层材料及成膜工艺进行了研究。首先,通过研究ITO成膜工艺参数对膜质的影响以确定ITO最佳成膜条件;其次,通过对比分析Ag、ITO/Ag和ITO/Ag/ITO薄膜特性以确定阳极膜结构;并通过研究顶层ITO膜厚对OLED特性的影响以确定顶层最佳ITO膜厚。在ITO制备工艺摸索中,以50nm膜厚为基准,采用退火后ITO方阻值（RS）和膜厚均值以及均一性作为考察指标,进行一系列的制备工艺实验。结果表明:采用无O2和H2O,0.3Pa成膜压力,10kw功率成膜,同时采用220℃/1h退火处理的方式,ITO RS和膜厚均能保持稳定,说明此工艺条件ITO具有很好的稳定性。退火后RS均值为58Ω/□,膜厚均值为47nm,膜厚均一性为6%,达到了很好的均一程度。ITO平均透过率和在550nm波长下的透过率分别为89.15%和88.78%,均达到了不小于87%的要求,以上ITO工艺特性均满足生产要求。在阳极膜结构设计的研究中,首先采用Ag阳极膜,发现Ag与基底粘附性存在异常;接着采用ITO/Ag阳极膜,发现静置1小时后膜层RS显著增大,这是因为Ag被氧化的缘故;因此,最终确定阳极膜采用ITO/Ag/ITO膜层结构。通过研究ITO/Ag/ITO成膜工艺发现:退火处理可以提高阳极膜的反射率,而UV处理对阳极膜反射率则无影响;采用正常工艺成膜,膜层平均反射率和在550nm波长下的反射率分别为98.26%和97.70%,RS均一性为11%,膜厚均一性为9%,电阻率均一性为6%,具有很好的膜质特性;另顶层ITO膜厚对薄膜表面方阻和表面粗糙度无影响,顶层ITO膜厚40nm条件下,OLED器件寿命显著提高,可达200h。通过对阳极材料和工艺的研究,获得符合要求的成膜工艺及其阳极层结构,为AMOLED的量产提供了重要参考,具有重要的前景和价值。