新型卤族钙钛矿材料的电子结构和光学性能调控

来源 :南京邮电大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yishumi1
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由于钙钛矿材料结构的多样性及其优秀的光电性能,在光电器件等领域受到了广泛的关注。如何进一步改善其电子特性以及提高光电性能成为了当今的研究热点。本文基于第一性原理计算方法,通过改变掺杂浓度和施加压力等方式调控无机卤化物钙钛矿材料的电子结构和光学性质,寻找性能优越的钙钛矿材料。具体研究内容如下:第一章绪论部分介绍了钙钛矿材料的研究现状、结构、应用以及制备方法,以及本文的研究内容。第二章介绍了第一性原理、密度泛函、Hartee-Fock方法、Thomas-Fermi近似、Hohenberg-Kohn定理、交换关联泛函和赝势理论等相关理论,并介绍了相关软件和计算方法。第三章通过改变掺杂I的浓度和外部压力大小来调控CsPb2Cl5钙钛矿材料的电子结构和光学性质。通过计算结合能,能带结构和态密度研究了I的格位占有率和电子贡献情况。通过掺杂不同含量的I,可以有效地控制钙钛矿材料的光学性质,从而找到最佳的掺杂含量。通过施加不同的外部压力,进一步改善了该材料的光学性质。第四章基于双钙钛矿Cs2AgBiBr6材料,通过掺杂和施加压力调控去改善钙钛矿Cs2Ag Bi Br6材料的电子结构和光学性质。通过计算结合能确定了掺杂I的最可能占据的格位,以此为基础分析了格位被占据后的电子性质和光学性质的变化。进一步研究了压力对能带结构、电荷密度和部分态密度等电子结构性质和光学性质的调控。第五章基于卤化物钙钛矿Cs3BiBr6材料,研究了通过调控外部压力和掺杂离子来改善钙钛矿Cs3Bi Br6的电子结构和光学性质。通过结合能确定掺杂I-的格位占据率。在确定格位之后,分析了掺杂该格位后的钙钛矿Cs3Bi Br6:I-的电子结构性质,通过能带结构、电荷密度和态密度等方式研究了不同掺杂浓度及压力对该材料光学性质的调控情况。
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