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在能源危机与环境污染的双重压力下,新能源发电技术得以快速发展。随着电力电子技术的不断进步,以光伏发电为代表的新能源发电领域日益普及。电力电子技术的进步与功率器件的发展息息相关,碳化硅功率器件以其开关速度高、导通损耗小、阻断电压高等优秀特点,更加适应电力电子技术的发展方向,日益为人们所关注。本文选用基于碳化硅器件的单相全桥拓扑,对SiC MOSFET器件的特性展开研究,分析和研究了逆变器系统高频化面临的问题,并对驱动和实验平台进行优化,并针对直流母线功率耦合问题开展研究。SiC MOSFET与Si M