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CuInSe2（简称CIS）及其衍生物的光学带隙与太阳光谱较为匹配，具有较大的吸收系数、较低的成本、较高的理论转换效率、较好的稳定特性等优点，是最有发展前途的太阳能电池之一。CIS电池是以CIGS薄膜为光吸收层材料的太阳电池，其制备方法主要包括真空法和非真空法两类：真空法制备的CIS薄膜质量较好，电池效率高，但真空设备昂贵，相应成本较高。而非真空法则具有设备简单、成本低廉、操作简便、可大规模生产等优势。本文采用非真空纳米前躯体法制备CIS薄膜及其光伏器件，以期为该技术的工业化应用奠定基础。本论文的主