有限阵列结构电磁特性分析在阵列天线和无源阵列的设计中具有重要作用,有限阵列散射和辐射特性的高效分析方法研究一直受到国内外学者的广泛关注。本文针对一维和二维有限阵列的电磁特性分析问题,研究了Floquet模一边缘绕射波一矩量法混合方法和边缘积分方程法。 论文第一部分利用Floquet模一边缘绕射波一矩量法混合方法研究有限带栅结构的散射问题。主要讨论基于最陡下降法的散射场的渐近表达式,计算和验证了有限带栅结构不同距离的散射场。论文第二部分采用Floquet模一边缘绕射波一矩量法混合方法研究平面偶极子阵列的辐射场。文中利用最陡下降法推导辐射场的渐进表达式,详细阐述了该混合方法的物理意义;分别采用混合法和逐元法计算三种不同阵列结构的辐射场并分析了阵列尺寸及阵列周期对辐射场的影响:由此得出混合方法分析阵列结构电磁特性的步骤及其特点。 论文最后一部分研究一维、二维有限阵列结构的边缘积分方程和阵面上感应电磁流求解方法。通过有限阵与无限阵的表面电磁流满足的积分方程的比较引入边缘积分方程,主要讨论基于Floquet模及其边缘绕射波理论的电磁流基函数构造方法,采用Galerkin法求解边缘积分方程,得到阵面上感应电磁流分布的有效表达式。