场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）是集成芯片中的重要组成单元，在微电子的发展中起到至关重要的作用。为了弥补无机场效应管的缺陷，有机场效应管(Organic field-effect transistors)逐渐成为场效应管的重要课题。“导电聚合物”的出现为场效应晶体管开拓出了新的研究与应用领域。聚合物场效应晶体管因其独特的优点，研究取得了重大进展。聚噻吩类半导体材料是一类典型的p-型场效应管材料，而含有复杂氮杂环聚合物缺电子聚合物也被合成出来。噻唑喹啉等基团是缺电子单元，热稳定性和化学稳定性好，可以通过修饰分子结构来调配半导体的电化学性能。本论文主要设计新型的以噻唑喹啉等为核的含氮杂环的单体，并进一步合成主链含三键的Pt金属聚合物以及以噻唑喹啉等为核的纯有机聚合物，同时合成齐聚物。我们通过红外光谱、核磁共振等方法对目标产物进行表征，并通过紫外-可见光、循环伏安法、热失重分析等手段测试目标聚合物和齐聚物光学性能、电化学性能及热稳定性进行分析。具体内容如下：1.设计合成含氮、硫原子的杂环单体，并通过Sonogashira Reaction合成主链含三键及Pt金属的聚合物(P1-P3)，同时制备含Pt金属的齐聚物(O1,O2)。最后测试相应场效应管的参数，研究其光学性能、热稳定性和电化学性能。结果表明金属聚合物热分解温度均在300℃以上，热稳定性好，吸收光谱范围宽，最大吸收峰为755-884nm，聚合物带隙在1.27-1.52eV，带隙低，齐聚物具有液晶性能。2.设计合成主链含杂原子的共聚物(P4-P9)，用不同基团取代Pt金属，测试其光学性能、热稳定性和电化学性能，同时比较其与金属聚合物的性能差别。结果表明金属聚合物相对于有机共聚物热分解温度更高，吸收光谱红移， Pt金属在聚合物中起到拓宽吸收光谱的作用，提高了聚合物的热稳定性。