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半导体技术、微电子技术的飞速发展和广泛应用,为功率变换器向高频化、小型化、高功率密度、高可靠性方向发展,提供了技术上的可能性。然而,在工作频率(>1MHz)提高的同时,传统电压源型驱动(Voltage Source Driver,VSD)电路的驱动损耗和开关损耗也会成比例的增加,从而会降低高频功率变换器的效率。因而,为了解决传统VSD电路的这些问题,谐振型门极驱动技术(Resonant Gate Driver,RGD)被提出。谐振门极驱动电路利用LC谐振原理,回收功率开关管等效输入电容上储存的驱动能量,进而减小高频驱动损耗。本论文首先介绍了MOSFET的基本知识,传统VSD电路的工作原理、各部分损耗的计算方法及VSD电路的缺点。其次,将现有的谐振驱动电路分为电感电流连续和断续两类,并举例分析了这两类谐振驱动电路的特点。本文选用了三种谐振驱动电路进行研究,详细分析了这三种谐振驱动电路的工作原理、各部分损耗及计算方法,并用Pspice仿真软件验证了所用方法的可行性。其中一种谐振驱动电路是对原有方法改进后提出的,电路中应用了耦合电感,其电感电流断续,以恒流驱动功率MOSFET开通关断,可以更大程度地减小驱动损耗。为了设计出最优的谐振驱动电路,综合考虑谐振驱动电路的驱动损耗、功率开关管的开关损耗和其体二极管损耗之间的关系,对谐振电感进行了优化设计。用优化后的谐振电感值,求得三种谐振驱动电路的驱动损耗,并与传统VSD电路的驱动损耗进行对比。结果表明谐振驱动电路可以有效减小驱动损耗,提高高频功率变换器的效率。最后,为了验证理论分析的正确性,本文以同步Buck为主电路,制作了三种谐振驱动电路和传统VSD电路的原理样机,并进行对比实验。完成了实验调试工作,并给出了实验结果和详细分析。