CCD芯片量子效率和非均匀性参数测量

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CCD(Charge coupled device)成像器件在军事、工业、民用、科研等领域应用极其广泛。作为一种对各领域发展具有重要意义的光电成像器件,其在实际应用中表现出的性能参数,对用户而言,往往比生产厂商提供的像素等指标更具有参考价值。如何选择满足应用需求的成像器件,如何量化评估成像器件的工作表现,如何为种类繁多的CCD成像器件进行品级划分和性能筛选,针对这些需求,国内外对CCD成像器件性能参数测量系统的研究正在如火如荼地进行。结合我国“核高基重大专项”重点发展方向,高精度CCD成像器件关键性能参数测量系统的设计和研制迫在眉睫。本文正是从这一角度切入,首先对国内外CCD成像器件性能参数测量研究的发展和现状进行了调研,之后在调研基础上开展实验工作,取得了以下研究成果:1.在研究分析CCD成像器件主要性能参数定义和国内外公知测量标准的基础上,提炼出针对量子效率和非均匀性等参数的测量方法。2.结合实验室环境,创新性地设计了一套集氙灯光源、三光栅单色仪、积分球、暗室、标准探测模块、参数自动化计算软件等为一体的CCD成像器件量子效率和非均匀性参数测量系统。3.利用标准替代的实验思想,将测量方法实际应用于实验系统中,对实验室研制的CCD待测器件和工业级CCD相机进行了多次测量实验,分别测得了较为理想的量子效率和非均匀性参数结果。实验结果验证了系统的科学性和有效性,也为日后升级实验系统,继续开展参数测量工作奠定了软硬件实验基础。4.在本文实验结果的基础上,提出将CCD测量实验向全谱段、高品级、全参数这几个方向进行拓展,并给出了课题未来工作的目标和计划。
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