p-μc-SiC:H薄膜材料的研究及其在太阳电池上的应用

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硅薄膜材料和电池研究已经成为热点,开发低成本和高效率的太阳电池是光伏研究的目标。非晶硅薄膜太阳电池和微晶硅薄膜太阳电池都具有各自显著的优势,在本论文中研究制备了一种适用于两种太阳电池的窗口层材料,即P型微晶硅碳(p-μc-SiC:H)薄膜材料。p-μc-SiC:H薄膜材料具有高电导率、宽光学带隙以及具备一定晶化率的优点,用其作为窗口层的非晶硅太阳电池在保持了高吸收系数的同时,有具有良好的电学特性,提高了非晶硅太阳电池的短路电流密度;对于微晶硅太阳电池,p-μc-SiC:H薄膜材料本身的晶化率使其与本征层更完美的匹配,改善了电池的性能。此外,柔性衬底太阳电池作为薄膜太阳电池的一个新品种,受到越来越多的关注。本文中采用了半透明和全透明的有机材料作为衬底材料,制备了柔性衬底的倒结构和正结构太阳电池。   论文的核心内容包括以下两部分:   1.p-μc-SiC:H薄膜材料的制备和性能研究   论文分别从CH4的掺杂量、硅烷浓度(氢稀释率)、衬底温度、反应气压和辉光功率密度的角度分析了这些反应参数对材料暗态电导率、光学带隙以及材料晶化率的影响,比较详尽的分析了材料各个沉积参数的作用原理和相互作用,从而制备出了厚度在70nm左右,暗态电导率达到0.1S/cm,光学带隙超过2.1eV的p-μc-SiC:H薄膜材料。   2.柔性衬底太阳电池的制备和p-μc-SiC:H薄膜材料的应用   论文中论述了p-μc-SiC:H窗口层的硅烷浓度对非晶硅太阳电池的影响。采用完全透明的有机薄膜作为衬底,本征层为非晶硅薄膜,p-μc-SiC:H作为窗口层的太阳电池的制备,以及p-μc-SiC:H薄膜材料作为微晶硅倒结构太阳电池窗口层的应用。此外,通过对p/i界面的优化,我们得到了效率Eff为7.86%,短路电流Jsc为17.16mA/cm2,开路电压Voc为0.9V,填充因子FF为51.06%的非晶硅薄膜太阳电池。
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