随着电子产品微型化和高集成化的发展,在电子封装中,元器件的焊点越来越小,而经受的电流却越来越大,电迁移现象时有发生,易导致元器件的失效,严重影响电子产品的寿命。经研究发现界面金属间化合物是影响无铅焊点可靠性的关键因素。由于温度、磁场、电流对界面金属间化合物的生长都有影响,目前电迁移的研究主要集中在单一电流或者温度和电流共同作用下的研究,而对温度、电流、磁场共同作用下的电迁移行为研究还未见报道,因此研究多场作用下电迁移行为非常有必要。本文以商用Sn3.0Ag0.5Cu钎料合金为参照系,自主研制了电迁移多场加载测试装置,研究了不同因素对电迁移的影响,研究表明:高电流密度下,焦耳热会使焊点的温度升高,加剧焊点电迁移行为的发生,导致阳极界面化合物显著增加,阴极界面化合物先减少后增加。添加硅油后48h阳极界面金属间化合物只增加了8.8μm,而未添加硅油时,阳极界面金属间化合物增加了21.4μm。硅油可以有效消除电流的热效应,保证实验的准确性。研究结果还表明在温度为150℃、磁场为0.4T作用下,高电流密度和低电流密度产生的电迁移现象剧烈程度有所不同。高电流密度和低电流密度下阳极界面化合物的厚度均会增加,且电流密度越大,厚度的增加量也越大。在高电流密度下,阴极界面化合物逐渐减少,且电流密度越大,阴极界面化合物减少的越快;而低密度电流作用下,阴极界面化合物不仅没有减少,反而增加了,且电流密度越高,阴极界面化合物的厚度增加的越少。还研究了电流密度为0.8×104A/cm2,磁场强度为0.4T,温度分别为120℃、130℃、150℃时Cu/Sn AgCu/Cu对接焊点的电迁移行为。实验结果表明,温度越高,电迁移现象越明显,阳极界面金属间化合物增加的越多,阴极界面化合物减少的也越多。