脉冲激光沉积法制膜过程中等离子体演化规律及薄膜生长的蒙特卡罗研究

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脉冲激光沉积技术(Pulsed Laser Deposition简称PLD)自20世纪60年代世界上出现了第一台红宝石激光器起开始萌芽,一直比较缓慢地发展.直到1987年,高Tc超导氧化物薄膜在贝尔实验室制备成功,PLD技术引起了人们的广泛关注并迅速发展起来.这项技术较其他薄膜制备技术有激光能量高、薄膜的化学成分比与靶材一致、沉积速率高、基片温度要求低等优点,因此成功的制各了多种铁电、压电等功能薄膜材料.在PLD技术制备薄膜的过程中,会出现很多复杂而有趣的物理现象,因此人们开始了针对PLD技术制膜机理的研究.20世纪90年代建立的S-N模型,是一个比较完整地描述PLD制膜全过程,具有突破意义.该组近年来曾用此技术成功的制各了KTN薄膜,并由此展开了对制膜机理的研究,建立的Zhang-Li模型对激光烧蚀靶材过程、等离子体在空间的膨胀和薄膜沉积特性进行了详细的研究,建立了一套比较完整的理论来描述PLD的物理过程.
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