论文部分内容阅读
8-羟基喹啉铝（Alq3）是一种优良的小分子发光半导体材料，其物理性能和化学性能都得到了广泛的研究，关于这方面的研究工作也取得了不少成绩，如有机半导体材料的负电阻效应，双稳态现象等。有关晶态的Alq3的研究工作起步较晚，前人测量了Alq3在不同的结晶温度下，发现其有四种晶体结构。对于多晶态Alq3在器件性能中表现出的特异性现象的微观本质还没有一个明确的解释。本文依据Alq3作为发光层在有机二极管器件中出现的暗斑现象为出发点，通过表征、测试、分析和讨论做了一系列相关的实验，并初步探讨了形成负电阻效应的原因。我们总结了晶态的Alq3薄膜相对非晶态Alq3薄膜的电光差异性。实验工作分三部分进行：一、制备了Alq3的多晶态薄膜，用扫描电子显微镜分别表征了在不同条件下（不同的水气量，温度，丙酮）的Alq3的薄膜形态，为了进一步确定Alq3薄膜的晶态结构，用X射线衍射仪进行了测量，测量的结果与前人做的测量相吻合。二、我们将Alq3的多晶态薄膜作为有机发光层，制备了OLED器件（ITO/多晶态Alq3/Mg:Ag/Ag）,并且和非晶态的Alq3的OLED器件（ITO/多晶态Alq3/Mg:Ag/Ag）做了比较，测试结果显示多晶态Alq3的IV曲线会出现负电阻效应，我们讨论了产生这种现象的原因。然后做了OLED的振荡电路，探讨了将来在电子学方面应用的可能性。三、将多晶态Alq3薄膜，作为有机场效应晶体管的沟道材料，制作了OFET器件（硅片/聚亚酰胺/多晶态Alq3/金），并测试了该器件电流随电压变化的曲线，表明很小的栅压可以调制源漏之间的电流，所有的测试时在室温下进行，测得的IV曲线有明显的波动，并对此作了阐明。证明了多晶的Alq3具有良好导电性与其晶体结构有关。即Alq3由非晶态变成相晶体时，该极性的相多晶态纳米颗粒就是Alq3其有良好导电性的原因。