应用于WI-FI信号屏蔽模块的高增益高功率放大器芯片设计

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现代无线通信技术日新月异,使人们的日常交流和通信变得十分便捷、有趣并且自由。良好可靠的便携式移动通信设备已经成为多数人生活中几乎不可替代的一部分,而其中部分设备侵害到了一些传统的行业。开发良好的屏蔽系统,能有效地对这些有害信号进行防范和阻断。在屏蔽系统中,屏蔽信号通过发射机天线向空间辐射。功率放大器处于发射机前端,其性能直接影响系统的屏蔽范围和系统能耗。针对工作在2.4GHz的WI-FI屏蔽系统,一款性能优良的功率放大器是其重点。本项目中放大器采用了2μm的InGaP/GaAs HBT晶体管工艺,由三级电路结构组成,发射极的面积分别为320μm2、1280μm2、5120μm2,芯片面积仅为1.2mm×1.2mm。实验结果表明,放大器采用5V供电电压,在2.4GHz~2.5GHz频率范围内,功率线性增益在32dB左右,且能够获得良好的输入匹配和输出匹配。此时,其输出P1dB大于34dBm,功率附加效率超过43%。
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