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为深入了解电子俘获光存储材料的光学性质、电子俘获机理，进一步提高它们的光存储性能，我们对一些电子俘获材料进行了研究。其中着重讨论了Eu、Gd共掺杂BaFCl光存储材料的光致荧光性质和相应的光存储机制。
采用高温固相扩散反应法制备了Eu、Gd共掺杂的BaFCl系列粉末样品。由X射线衍射谱的分析，证明所制得的系列样品具有单一的BaFCl物相结构。
用荧光光谱、光激励发光，吸收光谱和差吸收谱的方法研究了电子俘获材料BaFCl：Eu,Gd的光存储性质及光存储机制。测量了样品的发射光谱和激发光谱，发现在BaFCl：Eu中掺入少量的Gd时，Gd3+离子发射所释放的能量可以有效的传递给Eu2+离子，使BaFCl：Eu的发光性能得到明显增强。进而测量了不同Gd掺杂浓度(Eu浓度相同)下BaFCl：Eu,Gd样品的发射光谱，探讨了掺杂浓度对Eu,Gd共掺杂BaFCl体系发光性能的影响。测量了样品的光激励发光和经紫外光辐照后随持续读出时间的光激励发光强度的衰减，讨论了Gd3+离子的掺入对材料存储特性的影响。研究了不同Gd掺杂浓度的样品在X射线辐照前后及不同辐照剂量下的吸收光谱，并进而通过对辐照60S和辐照30S时间下差吸收谱的分析，对各样品的光存储性能进行了系统的比较研究。通过研究发现，Gd掺杂浓度对共掺杂材料发光性能的影响与其对材料光存储性能的影响基本一致，0.7％mol为Gd的最佳掺杂浓度。还通过吸收光谱和差吸收谱对F/Cl大于1的
BaF1.0Cl0.90：Eu,Gd光存储性质进行了对比研究。结果表明，适当提高F/Cl的比值，掺入适量Gd3+离子，既能提高F(Cl-)心的产率，使之与激光器的读出波长更为匹配，又能提高材料的存储密度，使得材料的性能得到进一步的改善。
此外，作为对电子俘获光存储材料体系的拓展研究，我们采用高温固相反应法制备了Ce掺杂的BaBrCl材料。研究了样品的荧光光谱，经X射线辐照前后的吸收光谱及差吸收谱(DAS)。在BaBrCl：Ce中发现光激励发光。发射峰及光激励发光峰均位于～390nm；DAS为500-750nm的宽带谱，与BaFX：Eu(X=Cl,Br)相比，该吸收带与He-Ne激光器的波长更为匹配。结果表明BaBrCl：Ce有望成为一类新型的X射线影像存储材料。