新近发现的MgB2超导体的转变温度为39K，自发现以来在材料、物理、化学等多个学科领域引起了广泛的关注。目前世界很多实验室和研究小组针对MgB2超导体进行了大量的研究，并取得了很大的成果，但是对MgB2的相变过程研究较少。本文用自蔓延法合成MgB2超导体，并用淬熄的方法对MgB2超导体掺杂SiC，C的相变过程进行研究，为MgB2超导的实用化提供理论和实验参考。 通过研究表明：Mg—B体系随着预热温度的升高，反应体系的绝热温度也升高；绝热温度Tad=1614K时，在点燃反应之前需要预热，且预热温度不能低于501K；并得出从298K到2000K的温度范围内MgB2、Mg2Si、CB4和MgB4的生成反应Gibbs自由能变值均为负值，且MgB4的自由能变负值较大，反应较易发生，因此必须控制合成条件，保证合成过程中足够的Mg的量，避免非超导MgB4的生成；同时，分析和实验结果给出了固—液相反应机制是最理想。 制备MgB2超导体的方法有很多，这些方法一般要求600℃-900℃，保温1-48小时。本文报道用自蔓延法（SHS）法合成MgB2超导体，该方法工艺简单，结果表明虽然样品中含有少量的MgO杂质，但是样品主相为MgB2，样品的致密度较低，为层状结构，层与层之间有空洞，每层由颗粒状晶粒组成，颗粒大小在2υm～5μm之间，样品的临界温度可达38．45K，临界电流密度Jc=1．60x106A/c㎡（10K，0．5T）与其他方法合成的样品的临界温度相近。 我们进一步用（SHS）法合成MgB2超导体的相成分影响较大的是Mg粒度的大小、预热温度和预热速率。研究结果显示：随着Mg粒度的减小，绝热温度增大，同时导致合成产物出现烧结现象；预热速率的快慢对绝热温度没有影响，但对产物的致密度有影响，且预热速率越慢产物越致密： 最后用淬熄的方法对MgB2超导体进行了掺杂相变过程的研究。在研究掺杂SiC、C相变过程时发现：在527℃～650℃时，少量Mg和B固体颗粒间以扩散方式发生固．固扩散反应生成MgB2；在650℃～700℃时，Mg颗粒开始熔化，Mg周围的B不断固溶到Mg液相中并发生剧烈的液—固放热反应生成MgB2；在700℃～750℃时，掺杂的SiC大部分与MgB2反应生成Mg2Si，同时有一部分C原子进入到MgB2取代B原子，同时少量的MgB2分解生成MgB4和Mg。由于反应时间短，温度梯度大，少量液相Mg还来不及扩散又重新结晶。通过对MgB1．95C0．05超导块材XRD图谱的（101）峰进行了分离和SEM照片分析，650℃时生成的MgB2的（101）峰向右方向漂移，2θ角偏移量约为0．2°左右，表明有部分C元素开始进入到MgB2晶格，其余C元素存在于晶界位置，以杂相的形式存在于MgB2的晶界中并改善MgB2的超导电性，c轴方向的晶格常数未发生变化。