过渡金属碲化物具有诸多新颖的物理化学性质,作为二维材料系列的新成员,在纳米电子器件的应用中有着巨大的潜力。本论文运用非平衡格林函数与泊松方程自洽求解法结合密度泛函理论对基于MoTe₂材料的场效应管输运特性进行分析研究。主要研究工作如下:（1）采用密度泛函理论研究MoTe₂和Mo Se₂材料的电子结构,包括能带、态密度等。结果表明:2H-MoTe₂材料为p型半导体,具有极窄的带隙1.04e V,2H-Mo Se₂材料为p型半导体,带隙1.42e V,相比之下MoTe₂更有利于电子从价带向导带的跳跃,电子的传导,以及电催化性能的提升。（2）研究了MoTe₂-MOSFET的输运特性。分析栅长、掺杂浓度、温度等参数对MoTe₂-MOSFET的输运特性的影响。研究结果表明:MoTe₂-MOSFET栅长越长,开关电流比越大,亚阈值摆幅越小;随着掺杂浓度的增大,开关电流比先增大再减小,当掺杂浓度为0.01摩尔分数时,具有最高的开关电流比;温度越低,开关电流比越大,器件亚阈值摆幅越小,因此,在低温状态下,器件性能最优。（3）研究了MoTe₂-TFET的输运特性。通过研究栅长、掺杂浓度、温度、氧化层材料MoTe₂-TFET的变化对输运特性的影响,研究结果表明:当栅长在8nm以上时,器件具备较低的关态电流和较高的开关电流比;当MoTe₂-TFET掺杂浓度等于0.009摩尔分数时具有10¹⁰级的开关电流比,且亚阈值摆幅相对较低,电学性能最优;当温度小于等于300K时,对MoTe₂-TFET的电学性能影响不大,都具有10¹⁰级的开关电流比,但在高温状态下,该器件的电学性能开始下降。将MoTe₂-TFET电学特性与Mo S₂-TFET及Mo Se₂-TFET进行对比分析,结果表明,MoTe₂-TFET的输运特性优于Mo S₂-TFET和Mo Se₂-TFET。将MoTe₂-TFET的关态电流、开关电流比与ITRS对应预测值进行对比,结果表明,纳米MoTe₂-TFET关态电流、开关电流比均优于ITRS的预测值。（4）研究了基于MoTe₂-TFET构建电路的电学特性。对构建的二输入与门、三输入或门、全加器及反相器等基本电路的开关延迟时间,功耗等参数进行了计算分析,并通过调整掺杂浓度的方法对MoTe₂-TFET构建的反相器进行优化。