SOI二极管型非制冷红外成像系统关键电路设计

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红外焦平面阵列(IRFPA)作为红外成像系统的核心部件,一直是各国研究热点。传统的制冷型红外焦平面成像系统设备复杂、成本高,而非制冷红外焦平面因其具有无需制冷、成本低等特点,应用前景广泛。硅-绝缘体(SOI)二极管型非制冷红外焦平面阵列结构简单,与CMOS集成工艺兼容性好,敏感单元不依赖于材料性能,具有很高的应用与研究价值。本文针对384×288SOI二极管型非制冷红外焦平面阵列成像系统关键电路进行设计。主要开展两部分工作,一是读出电路(ROIC)模块,完成了积分单元电路、电荷放大器电路、采样保持电路和输出缓冲器的设计。文中详细地介绍了各部分电路的工作原理和设计过程,并采用0.35μm5V CMOS工艺,完成了模拟电路版图。最后提取了R+C+CC寄生参数,进行了版图后仿真,仿真结果显示读出电路能够实现对探测器微弱电压信号的读取、放大及输出。二是信号处理模块中流水线模数转换器设计,本文完成了一种12-bit20MS/s流水线模数转换器(Pipeline ADC)采样保持(S/H)电路设计,采用0.18μm CMOS工艺进行了流片,经初步测试验证,该S/H电路在3.3V电源电压,输入信号频率为5MHz,采样率为50MS/s时,能够实现12位以上有效精度。本文对SOI二极管型非制冷红外焦平面阵列成像系统关键电路进行设计,为后期红外探测器阵列成像系统的构建奠定了基础。
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